නිෂ්පාදන

අපි අසමතුලිත මැග්නට්‍රෝන (UBM) ස්පුටරින් ක්‍රමය මගින් සාදන ලද නයිට්‍රජන් සාන්ද්‍රණය 10.9% ට වඩා අඩු නයිට්‍රජන් මාත්‍රණය කළ නැනෝ කාබන් පටල ඉලෙක්ට්‍රෝඩයක් අධ්‍යයනය කළෙමු.නයිට්‍රජන් මාත්‍රණය කරන ලද UBM ස්පුටරින් නැනෝ කාබන් පටලයේ (N-UBM පටලය) sp(3) අන්තර්ගතය නයිට්‍රජන් සාන්ද්‍රණය වැඩි වීමත් සමඟ තරමක් වැඩි වේ.නයිට්‍රජන් අඩංගු ග්‍රැෆයිට් වැනි බන්ධනය අඩු වන අතර නයිට්‍රජන් සාන්ද්‍රණය වැඩි වීමත් සමඟ පිරිඩීන් වැනි බන්ධනය වැඩි වේ.N-UBM පටලය නයිට්‍රජන් සාන්ද්‍රණයෙන් පාහේ ස්වාධීන වන සාමාන්‍ය රළුබව 0.1 සිට 0.3 nm දක්වා ඉතා සුමට මතුපිටක් ඇත.N-UBM චිත්‍රපට ඉලෙක්ට්‍රෝඩය sp(3) අන්තර්ගතයේ සුළු වැඩි වීම හේතුවෙන් පිරිසිදු-UBM පටල ඉලෙක්ට්‍රෝඩයකට (3.9 V) වඩා පුළුල් විභව කවුළුවක් (4.1 V) පෙන්වයි.නයිට්‍රජන් සාන්ද්‍රණය වැඩි වීමත් සමඟ විද්‍යුත් උත්ප්‍රේරක ක්‍රියාකාරකම් වැඩි විය, නයිට්‍රජන් සාන්ද්‍රණය 10.9 at% පමණ වන විට විද්‍යුත් ක්‍රියාකාරීත්වය උපරිම වන බව යෝජනා කරයි, එය Fe(CN)6(4-) හි උච්ච වෙන්වීම මගින් තහවුරු වේ.N-UBM පටල ඉලෙක්ට්‍රෝඩයේ හයිඩ්‍රජන් පෙරොක්සයිඩ් (H2O2) අඩු කිරීමේ විභවයන් 0.1 V පමණ මාරු වූ අතර H2O2 හි උපරිම ධාරාව 4 ගුණයකින් පමණ වැඩි විය.